研究人員用雷同于石墨烯的二維質料制造出微處理懲罰器，有些人認為，這種神奇的彈性導電質料大概會給電池、傳感器、芯片設計帶來革命性的變革。

處理懲罰器只有115個晶體管，從測試尺度上看它并沒有什么驚人的，不外維也納科技大學的研究人員在陳訴中暗示，這是第一步，符號著我們朝著2D半導體微處理懲罰器前進了第一步。

二維質料有一個利益：很是機動，也就是說它可以等閑放進可穿著設備、聯網傳感器，并且還不容易損壞。好比我們假如掉了手機，手時機彎曲，而不是破碎。

其實，此刻的半導體和屏幕已經相當薄了，不外它們依賴質料的三維物理特性。假如將硅圓晶彎曲，它就會割裂。維也納科技大學利用石墨烯等2D質料可能過渡金屬硫族化合物，它們是真正的二維質料，是用晶體制造的，只有一層原子可能分子的厚度，所以可以彎曲。

過渡金屬硫族化合物是一種殽雜物，包括了過渡金屬，好比鉬、鎢和硫族元素。和石墨烯一樣，過渡金屬硫族化合物形成層，不外它和石墨烯差異，化合物可以或許像金屬一樣導電，它們屬于半導體，這種特性對付柔性芯片設計師來說是一個好動靜。

研究人員用二硫化鉬制造微處理懲罰器。他們在硅基片上安排2個層，層的厚度與分子差不多，上面刻有電路設計，然后用氧化鋁層分隔。陳訴稱：“基片只是作為介質載體存在的，沒有其它成果，所以可以用玻璃可能其它質料替代，包羅柔性基片。”

最近推出的英特爾芯片都回收了64位技能，它可以領略成百上千條差異的指令，詳細是幾多要看你是奈何計較的，它包羅了幾億個晶體管。

維也納科技大學開拓的微處理懲罰器一次只能處理懲罰1位數據，只能領略4種指令（NOP、LDA、AND、OR），電路寬2微米，比最新的英特爾處理懲罰器和ARM處理懲罰器寬了100倍。

研究人員說，假如繼承開拓，可以讓微處理懲罰器變得更巨大，同時縮小尺寸。在制造時，研究人員決心選擇了大尺寸，這樣二硫化鉬薄膜不容易穿洞、割裂可能污染，用光學顯微鏡查抄功效時也會更容易一些。

陳訴稱：“我們認為，將1位釀成多位數據沒有任何障礙。”獨一的挑戰在于低落瞬變電阻，用亞微米工藝制造面對這樣的挑戰。

并不是說制培育很容易。固然制造子單元的良率很高，約莫80%的算術邏輯運算單位都可以正常運行，可是因為它回收的是無妨礙容錯設計，所以只有很少的一部門制品設備可以正常利用。

為了辦理良率問題，商務微處理懲罰器制造商引進了芯片設計模塊，用差異的速度測試。芯片的運行速度越高本錢也越高，錯誤的子組件可以永久禁用，這種芯片同樣可以出售，日本游戲代理 歐洲服務器，只是機能沒有那么強。

英特爾從4004芯片（4位中央處理懲罰器，46條指令）成長到最新的x86 Kaby Lake用了整整46年，一路上整個財富都在不絕相識微制造技能，對比而言柔性半導體研究的進步速度照舊算快的。