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技術觀察

三星量產10nm芯片 三星GALAXY S8或將首發

來歲的三星GAAXY S8將會用上新款10nm制程處理懲罰器已不是什么新鮮話題,而此刻則有了進一步的動靜。日前,三星官方正式宣布新聞稿,公布公布全球首次正式量產基于10nm FinFET工藝制程的芯片,并暗示將會用在一款打算于2017年宣布的產物上。盡量三星并未透露這款來歲新品的更多信息,但不出意外的話應該即是傳說中的GALAXY S8。

三星量產10nm芯片 三星GALAXY S8或將首發

量產10nm芯片

按照三星宣布的新聞稿顯示,全球首個10nm制程工藝芯片將正式投入量產,這將使得三星領先于英特爾和臺積電,而成為行業中首個出產10nm制程工藝芯片的廠商。據悉,三星的10nm FinFET回收先進的3D晶體管布局及設計,對比于14nm FinFET,其面積效率晉升30%,機能晉升27%,功耗低落40%。

三星量產10nm芯片 三星GALAXY S8或將首發

同時三星還暗示為了降服比例限制,此次量產的10nm FinFET的邊沿技能依舊延續了之前的三重切削,以擔保節點雙向鏈路的機動性。另外,此刻的三星10nm工藝被稱為10LPE,也就是早期低功耗版本,爾后續的10nm LPP將于來歲下半年量產,可用于更高機能的芯片。

GALAXY S8首發

值得一提的是,三星還暗示此次量產的10nm芯片將會用到來歲初面世的產物上,固然沒有詳細披露更多信息,但業內普遍猜測傳說中的GALAXY S8有大概會首次用到這款10nm制程的芯片。而在此前,則有動靜報道稱,三星將成為高通高端芯片驍龍830的獨家代工場,而該芯片則利用了10nm制程技能,同時在來歲推出的GALAXY S系列新款旗艦大將會有50%將利用該款處理懲罰器。

三星量產10nm芯片 三星GALAXY S8或將首發

除此之外,三星自家的Exynos 8895處理懲罰器也同樣會回收10nm制程工藝,據稱將擁有高達3.0GHz的主頻速度,并搭載全新的Mali-G71 GPU, 回收了ARM全新的Bifrost微架構,可提供高端4K和VR體驗,同時數據傳輸速度是現款Exynos 8890的1.8倍,甚至高出了驍龍830的顯示機能。雖然,這款處理懲罰器也會成為GALAXY S8的尺度設置之一。

或無4K屏版本

不外,盡量三星在處理懲罰器水準上已經提供了對4K顯示屏的支持,美國服務器租用 美國站群服務器,但即將到來的GALAXY S8卻有大概不會提供4K顯示屏版本。按照網友@BT2020_10Bit在微博上的爆料稱,三星GALSXY S8系列是穩扎穩打的,沒有傳聞過有量產4k小尺寸顯示屏的規劃。但對比之下,GALAXY S8所具備的4096級壓感和TDDI屏幕帶來的一體化指紋識別更有競爭力。

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