光刻機采用類似照片沖印的技術(shù)，可以把一張巨大的電路設(shè)計圖縮印到小小的芯片上，光刻精度越高，芯片體積可以越小，性能也可以越高，是左右芯片制造的“核心技術(shù)中的核心技術(shù)”。該資料稱，作為國際上首臺分辨力最高的超分辨光刻裝備研制，僅用365納米波長的紫外線光源，單次曝光最高線寬分辨力已達到22納米（約1/17曝光波長）。在此基礎(chǔ)上項目組結(jié)合項目開發(fā)的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現(xiàn)了10納米以下特征尺寸圖形的加工。該項目目前已獲得了授權(quán)國內(nèi)發(fā)明專利47項，國外發(fā)明專利4項，擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。但是，在公開發(fā)表的消息中，人們敏銳的發(fā)現(xiàn)，其光刻出來的產(chǎn)品卻沒有一個微電子芯片，展出的公開產(chǎn)品只有超導(dǎo)納米線探測器、超表面透鏡、納米結(jié)構(gòu)色亞波長全息、SERS傳感基底等多種微納結(jié)構(gòu)功能器件。

在早期的宣傳材料中，曾經(jīng)明確宣稱“可填補我國在高端光刻設(shè)備方面的空白，由于無需高昂的光源和投影光學(xué)系統(tǒng)，成本相對193納米光刻設(shè)備大大降低，一旦實現(xiàn)工程化和技術(shù)成熟，即可廣泛應(yīng)用于微電子信息、超高密度存儲等高新技術(shù)科學(xué)研究和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域”。隨著媒體的不斷報道，人們已知道光刻技術(shù)是當(dāng)今世界制備集成電路、微電子與光電子器件的最關(guān)鍵技術(shù)之一，為了保持芯片行業(yè)近二十年來一直以摩爾定律（每個芯片上集成的元件數(shù)平均每18個月將翻一番）的速度發(fā)展，成像光刻設(shè)備需要具備每兩年最小分辨率提高0.7倍的曝光能力。

近日，據(jù)權(quán)威媒體披露，directadmin漢化 虛擬主機，由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所承擔(dān)的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”順利通過驗收。眾所周知，微納光刻技術(shù)是現(xiàn)代先進制造的重要方向，是信息、材料等諸多領(lǐng)域的核心技術(shù)，其水平高低也是體現(xiàn)一個國家綜合實力的標(biāo)志?，F(xiàn)在現(xiàn)代芯片制造產(chǎn)業(yè)依靠的就是光刻機，光刻機是制造芯片的核心裝備，我國在這一領(lǐng)域曾長期落后，但關(guān)鍵技術(shù)落后不靠自己發(fā)展，別人是不可能公開自己的技術(shù)機密的，大國發(fā)展自己的核心高科技產(chǎn)業(yè)，免備案空間 香港服務(wù)器，需要堅持不懈投入，總能夠得出結(jié)果。光刻機這項技術(shù)曾長期把持在荷蘭ASML公司手中，目前世界上高端光刻機近80%均由該公司生產(chǎn)并在形式上長期對華實施技術(shù)封鎖和設(shè)備禁運，想發(fā)展芯片制造業(yè)，人家在源頭上、工具上和生產(chǎn)資料上打壓你，就算芯片電路設(shè)計再好，不夠生產(chǎn)制備芯片，一切都是空談。

根據(jù)國內(nèi)外公開資料披露，早在2009年，我國就開展了表面等離子體超分辨光刻技術(shù)的基礎(chǔ)研究，據(jù)今已有9年的時間，并突破了一系列關(guān)鍵技術(shù)，例如掩膜壽命已突破100次，研制出專門的等離子體光刻用紫外線光刻膠，實現(xiàn)非接觸式光刻，建成了超分辨器件制備與檢測工藝線、整機集成與裝調(diào)、等離子光刻驗證工藝線。在此基礎(chǔ)上,制備了叉指線電路、存儲電路等功能結(jié)構(gòu)圖形。根據(jù)上述信息分析，目前通過鑒定的國產(chǎn)超分辨光刻機似乎還是沒能實現(xiàn)在掩模版上完整的光刻出一個微電子芯片所需要的所有電路圖形，只是實現(xiàn)了微納結(jié)構(gòu)功能器件的成功光刻，離真正意義上的微電子芯片所用的光刻機還有很大的距離，我國的光刻機研制任務(wù)依然十分艱巨。

目前最先進的微電子芯片已達到7納米制程，而能生產(chǎn)此制程的光刻機全球只有荷蘭阿斯麥公司可以生產(chǎn)，并且關(guān)鍵核心零部件全部被美國高科技公司掌握或控制。我國目前只具備90納米芯片制程的光刻機生產(chǎn)能力，與國際先進水平差距十分巨大。由于傳統(tǒng)的投影光刻技術(shù)資金投入十分巨大，光學(xué)系統(tǒng)異常復(fù)雜、鏡頭材料的選擇與加工特別困難、相應(yīng)波長的光刻膠和激光光源技術(shù)含量極高，我國很難實現(xiàn)在傳統(tǒng)光刻原理的“彎道超車”，因此采用新原理的表面等離子體超衍射光學(xué)光刻成為我國國家自然科學(xué)基金、國家863計劃的重點資助對象，希望實現(xiàn)光刻機技術(shù)的顛覆性突破。