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5G技術(shù)

射頻芯片,5G手機(jī)里的一顆明珠

據(jù)統(tǒng)計(jì),2020年第四季度,我國(guó)手機(jī)市場(chǎng)繼續(xù)由4G向5G過(guò)渡,5G手機(jī)產(chǎn)品款型數(shù)占比已達(dá)六成。2021年全球智能手機(jī)出貨量將達(dá)約 13.55 億臺(tái),其中 5G 機(jī)型將有 5.39 億臺(tái)。對(duì)于制造而言壓力著實(shí)不小,5G手機(jī)性能的好壞取決于內(nèi)部的兩大芯片——射頻(RF)和基帶。下面就帶您了解一下射頻芯片的奧秘。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),射頻芯片的作用就是信息發(fā)送和接收。為什么說(shuō)它如此重要?如果沒(méi)有它,你的手機(jī)就是好幾千塊錢(qián)的大鐵塊。

先從射頻說(shuō)起,射頻就是射頻電流,是一種高頻交流變化電磁波,是可以輻射到空間的電磁頻率,頻率范圍在300KHz~300GHz之間。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流,大于10000次的稱為高頻電流,而射頻就是這樣一種高頻電流 (大于10K);射頻(300K-300G)是高頻的較高頻段;微波頻段(300M-300G)又是射頻的較高頻段。射頻技術(shù)在無(wú)線通信領(lǐng)域中被廣泛使用,有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式。

而射頻芯片指的就是將無(wú)線電信號(hào)通信轉(zhuǎn)換成一定的無(wú)線電信號(hào)波形,并通過(guò)天線諧振發(fā)送出去的一個(gè)電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開(kāi)關(guān)。射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。

工作原理

這是射頻電路的原理圖,射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分:

接收時(shí),天線把基站發(fā)送來(lái)電磁波轉(zhuǎn)為微弱交流電流信號(hào)經(jīng)濾波,香港服務(wù)器租用,高頻放大后,送入中頻內(nèi)進(jìn)行解調(diào),得到接收基帶信息,送到邏輯音頻電路進(jìn)一步處理。

發(fā)射時(shí),把邏輯電路處理過(guò)的發(fā)射基帶信息調(diào)制成的發(fā)射中頻,用發(fā)射壓控振蕩器TX-VCO把發(fā)射中頻信號(hào)頻率上變?yōu)?90M-915M(GSM)的頻率信號(hào)。經(jīng)功放放大后由天線轉(zhuǎn)為電磁波輻射出去。

對(duì)于現(xiàn)有的GSM和TD-SCDMA模式而言,終端增加支持一個(gè)頻段,則其射頻芯片相應(yīng)地增加一條接收通道,但是否需要新增一條發(fā)射通道則視新增頻段與原有頻段間隔關(guān)系而定。對(duì)于具有接收分集的移動(dòng)通信系統(tǒng)而言,其射頻接收通道的數(shù)量是射頻發(fā)射通道數(shù)量的兩倍。這意味著終端支持的LTE頻段數(shù)量越多,則其射頻芯片接收通道數(shù)量將會(huì)顯著增加。打個(gè)比方,若新增 M個(gè)GSM或TD-SCDMA模式的頻段,則射頻芯片接收通道數(shù)量會(huì)增加M條;若新增M個(gè)TD-LTE或FDD LTE模式的頻段,則射頻芯片接收通道數(shù)量會(huì)增加2M條。LTE頻譜相對(duì)于2G/3G較為零散,為通過(guò)FDD LTE實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游,終端需要支持較多的頻段,這就導(dǎo)致了射頻芯片面臨成本和體積增加的挑戰(zhàn)。

其實(shí)設(shè)計(jì)一個(gè)良好的射頻芯片還是很頭疼的。首先射頻芯片設(shè)計(jì)需要的理論知識(shí)非常多,很多設(shè)計(jì)理論甚至被人認(rèn)為“玄乎”,國(guó)內(nèi)服務(wù)器,而且射頻芯片的設(shè)計(jì)存在各種指標(biāo)的折中均衡,什么樣的折中是最佳的?怎樣折中是取決于產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用要求,沒(méi)有定論。再者,很多射頻芯片的指標(biāo)要求都是要挑戰(zhàn)工藝極限,這就需要很多創(chuàng)新性電路結(jié)構(gòu),例如噪聲抵消、交調(diào)分量抵消、為了提高功放效率采用的動(dòng)態(tài)偏置,有時(shí)為了降低功耗也是想盡了辦法。

硬性困難還是工藝及封裝。射頻芯片最重要的指標(biāo)是噪聲系數(shù)和線性度,這兩個(gè)指標(biāo)和工藝完全相關(guān),例如CMOS工藝襯底上就會(huì)耦合過(guò)來(lái)各種噪聲干擾,CMOS器件的線性度也很差,這種難題是硬傷,如不解決好,只能通過(guò)合適的電路結(jié)構(gòu)或者采取一些無(wú)法定量分析的隔離措施來(lái)緩解問(wèn)題,這就存在很多不確定性了。除此之外,還有寄生參數(shù)、寄生電阻、電容和頻率之間的權(quán)衡。

最后的封裝亦是一大難點(diǎn)。小小的一根封裝引線就是1nH以上的電感,這些電感對(duì)射頻芯片的影響實(shí)在是太大了。在成本可控的前提下盡量采用先進(jìn)的封裝形式,減少封裝帶來(lái)的引線電感。

對(duì)于5G射頻芯片,一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大,封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度;另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和濾波器封裝成為一個(gè)模塊,一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數(shù)的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封裝技術(shù)。可以看出,到5G時(shí)代,高性能Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out結(jié)合Sip封裝技術(shù)會(huì)是未來(lái)封裝的趨勢(shì)。

玩家盤(pán)點(diǎn)

成本昂貴,95%的市場(chǎng)被歐美廠商把持

通常情況下,一部手機(jī)主板使用的射頻芯片占整個(gè)線路面板的30%-40%。據(jù)悉,一部iPhone 7僅射頻芯片的成本就高達(dá)24美元,有消息稱蘋(píng)果今年每部手機(jī)在射頻芯片上的投入將歷史性地超過(guò)30美元。隨著智能手機(jī)迭代加快,射頻芯片也將迎來(lái)一波高峰。

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